如何快速判斷可控硅好壞

2023-11-08  瀏覽量:1418


 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。

  

  1、單、雙向可控硅的判別:先任測兩個極,若正、反測指針均不動(R×1),可能是AKG、A(對單向可控硅)也可能是T2、T1T2G(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1R×10擋復測,其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,余下是T2極。

  

  2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,指針應指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流小)。然后瞬時斷開A極再接通,指針應退回∞位置,則表明可控硅良好。

  

  對于1~6A雙向可控硅,紅筆接T1極,黑筆同時接GT2極,在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,指針應指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小、廠家不同而異)。然后將兩筆對調,重復上述步驟測一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則表明可控硅良好,且觸發(fā)電壓(或電流)小。

  

  若保持接通A極或T2極時斷開G極,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞??砂磮D2方法進一步測量,對于單向可控硅,閉合開關K,燈應發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。

  

  對于雙向可控硅,閉合開關K,燈應發(fā)亮,斷開K,燈應不息滅。然后將電池反接,重復上述步驟,均應是同一結果,才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

  

  逆變器IGBT模塊檢測:

  

  將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔,測試IGBT模塊c1e1c2e2之間以及柵極Ge1、e2之間正反向二極管特性,來判斷IGBT模塊是否完好。

  

  以六相模塊為例。將負載側U、VW相的導線拆除,使用二極管測試檔,紅表筆接P(集電極c1),黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數(shù)值為最大;將表筆反過來,黑表筆接P,紅表筆測UV、W,萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N(發(fā)射極e2),黑表筆測U、VW,萬用表顯示數(shù)值為400左右;黑表筆接P,紅表筆測UV、W,萬用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應相同,若出現(xiàn)差別說明IGBT模塊性能變差,應予更換。IGBT模塊損壞時,只有擊穿短路情況出現(xiàn)。

  

紅、黑兩表筆分別測柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性,萬用表兩次所測的數(shù)值都為最大,這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示,則門極性能變差,此模塊應更換。當正反向測試結果為零時,說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。

 

金武士ups電源廠家在選擇上述產品的供應商時,首選是產品的質量和性能,其次是供應商的綜合實力和研發(fā)能力,最后選項才是考慮產品的價格。所以金武士ups電源廠家方能保障出產的每臺ups電源都是精品。

  


上一條:院士專家論道儲能技術創(chuàng)新與智能制造 下一條:數(shù)據(jù)中心之變:國家強制降碳,“液冷”熱到發(fā)燙